半導体装置の製造方法、半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森 健三 |
| 发表日期 | 1997-02-18 |
| 专利号 | JP1997051143A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法、半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 表面異物を除去可能な半導体装置の製造方法,及び半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 ウエハ状のp型InP基板1上にp型InP下クラッド層2,InGaAsP活性層3,n型InP上クラッド層4をMOCVD法を用いた第1回目のエピタキシャル結晶成長により形成し、このウエハの表面を硝酸により処理するようにした。 |
| 公开日期 | 1997-02-18 |
| 申请日期 | 1995-08-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87453]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 健三. 半導体装置の製造方法、半導体レーザの製造方法. JP1997051143A. 1997-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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