電界吸収型光変調器と光変調器集積型半導体レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 瀧口 透 |
| 发表日期 | 1998-08-25 |
| 专利号 | JP1998228005A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 電界吸収型光変調器と光変調器集積型半導体レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【課題】 印加されるバイアス電圧に対する光出力の立ち上がり時間が短い電界吸収型変調器及び変調器集積型半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】 印加される変調電圧に従って光導波路を導波する光を変調する電界吸収型光変調器であって、上記光導波層が、該光導波層に所定の値の変調電圧が印加されたときにエキシトンのエネルギーギャップが互いに実質的に等しくなる複数の量子井戸層を含む |
| 公开日期 | 1998-08-25 |
| 申请日期 | 1997-02-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87455]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瀧口 透. 電界吸収型光変調器と光変調器集積型半導体レーザダイオード. JP1998228005A. 1998-08-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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