半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 板谷 和彦; 新田 康一; 波多腰 玄一; 西川 幸江; 菅原 秀人; 鈴木 真理子 |
| 发表日期 | 2001-10-19 |
| 专利号 | JP3242967B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層とクラッド層との間の十分大きなバンドギャップ差を実現することができ、温度特性を改善することで、300℃以上の使用にも十分耐え得る半導体レーザを提供すること。 【構成】 n型GaAs基板11上に、n型クラッド層13,活性層14及びp型クラッド層15を順次成長形成したダブルヘテロ構造部を有する半導体レーザにおいて、活性層14としてGaAsを用い、クラッド層13,15としてIn0.5 (Ga1-x Alx )0.5 Pを用い、且つクラッド層のAl組成比xをx≧0.3としたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2001-12-25 |
| 申请日期 | 1992-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87456]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 板谷 和彦,新田 康一,波多腰 玄一,等. 半導体発光素子. JP3242967B2. 2001-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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