半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 内田 陽三; 中島 健二 |
| 发表日期 | 2007-04-12 |
| 专利号 | JP2007095869A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジ形成後にサポート部を形成することでサポート部の形状を最適化し、素子信頼性が高く偏光特性の良い半導体レーザ素子を提供することである。 【解決手段】 半導体レーザ素子は、活性層14の上方にリッジ1を有し、少なくともリッジ1を覆い、且つ少なくともリッジ1の上方に凹部2aを有し、凹部2aの両側に凸状のサポート部2bを有するサポート層2が積層された構成である。その作製工程は、リッジ1形成後の結晶成長によりリッジ1の上面以外に電流ブロック層17、18が積層され、次の結晶成長によりサポート層2が積層され、凹部2aがエッチングにより形成される。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2007-04-12 |
| 申请日期 | 2005-09-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87459]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 陽三,中島 健二. 半導体レーザ素子. JP2007095869A. 2007-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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