InAsSb発光ダイオード及びその使用方法
文献类型：专利
| 作者 | ウィム·ドベラエレ; グスターフ·レジーナ·ボルス |
| 发表日期 | 1994-12-22 |
| 专利号 | JP1994350134A |
| 著作权人 | ANTERU UNIV MICRO EREKUTORONIKA SANTORIYUMU BUEE ZETSUDO DOUBURUBUE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | InAsSb発光ダイオード及びその使用方法 |
| 英文摘要 | 【目的】赤外波長光を放射するInAs1-XSbX型発光ダイオードを提供することにある。 【構成】半導体基板上に、p-ドーピング素子としてのベリリュウム及びn-ドーピング素子としてのシリコンを用いて成長させたInAs1-XSbXドープバルク層から成るドープされたp-n接合部を形成し、その組成比変数xを0〜1の範囲内の適宜大きさに調節して能動時の発光波長を定める。 |
| 公开日期 | 1994-12-22 |
| 申请日期 | 1994-01-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87461]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ANTERU UNIV MICRO EREKUTORONIKA SANTORIYUMU BUEE ZETSUDO DOUBURUBUE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ウィム·ドベラエレ,グスターフ·レジーナ·ボルス. InAsSb発光ダイオード及びその使用方法. JP1994350134A. 1994-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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