Semiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | ERBERT, GOTZ; TRANKLE, GUNTHER; WENZEL, HANS |
| 发表日期 | 2005-11-01 |
| 专利号 | US6961358 |
| 著作权人 | OSRAM GMBH |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| 英文摘要 | A semiconductor laser has an antiresonant waveguide (10), which is formed by a layer sequence applied to a substrate (1). The layer sequence has outer waveguide regions (2, 8), reflection layers (3, 7), and a waveguide core (11) with an active layer (5). With this structure, semiconductor lasers with only slight vertical beam divergence and with a large beam cross section can be produced. |
| 公开日期 | 2005-11-01 |
| 申请日期 | 2001-09-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87468]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OSRAM GMBH |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ERBERT, GOTZ,TRANKLE, GUNTHER,WENZEL, HANS. Semiconductor laser. US6961358. 2005-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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