半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 吉江 睦之 |
| 发表日期 | 2000-07-14 |
| 专利号 | JP2000196144A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 動作電圧の低い半導体発光素子を提供することである。 【解決手段】 半導体レーザ素子100は、サファイア基板1上に、低温バッファ層2、n-GaN層3、n-クラッド層4、n-光ガイド層5、n-MQW発光層6、p-AlGaN層7、p-光ガイド層8、p-クラッド層9およびp-コンタクト層10を順に形成してなる。p-コンタクト層10からn-クラッド層4までの一部領域がエッチングされ、露出したn-クラッド層4にn電極21が形成される。また、p-コンタクト層10上にp電極20が形成される。 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 申请日期 | 1998-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87469]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉江 睦之. 半導体発光素子. JP2000196144A. 2000-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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