半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 長尾 哲; 藤井 克司; 下山 謙司; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 1998-12-08 |
| 专利号 | JP1998326938A |
| 著作权人 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 光が電極部分へ漏れることを防ぎ、導波路内で光分布を容易に制御する。 【解決手段】 基板上に第一導電型第一クラッド層、活性層、第二導電型第一クラッド層、電流が注入されるストライプ領域に形成されたリッジ型の第二導電型第二クラッド層及び第二導電型コンタクト層並びに該ストライプ領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置であって、該第二導電型第二クラッド層の一部が該保護膜上に形成されており、該第2導電型第2クラッド層の、該保護膜上に形成されている部分の幅が0.01〜2μmであることを特徴とする半導体発光装置。 |
| 公开日期 | 1998-12-08 |
| 申请日期 | 1998-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87487]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長尾 哲,藤井 克司,下山 謙司,等. 半導体発光装置. JP1998326938A. 1998-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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