半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 豊中 隆司; 佐川 みすず; 平本 清久; 紀川 健; 藤崎 寿美子; 青木 雅博 |
| 发表日期 | 1998-09-11 |
| 专利号 | JP1998242561A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】リッジ導波路型半導体レーザで、高い光出力における安定な単一横モード発振,高い光学的破壊レベル,高信頼性,高効率な光ファイバへの光結合を同時に実現する。 【解決手段】p型GaAs光導波路層5の幅を、共振器内部では高いキンクレベルが得られるように狭く、前端面では高い光学的破壊レベルが得られるように拡大し、厚さが、共振器内部では十分な光閉じ込め係数が得られるように厚く、前端面では実行屈折率差が小さくなるように薄くする。この構造を実現するため、共振器内部から前端面に向かいフレア型に開口部が拡大する選択成長マスク9を用いて光導波路層及びリッジ部を選択成長する。 |
| 公开日期 | 1998-09-11 |
| 申请日期 | 1997-02-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87488]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 豊中 隆司,佐川 みすず,平本 清久,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1998242561A. 1998-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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