リッジ型半導体光増幅器
文献类型：专利
| 作者 | 井本 克之; 勝山 俊夫 |
| 发表日期 | 2000-04-21 |
| 专利号 | JP2000114671A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ型半導体光増幅器 |
| 英文摘要 | 【課題】 高速のスイッチング動作が可能で、しかも低コストなリッジ型半導体光増幅器を提供する。 【解決手段】 半導体基板20上に下部クラッド層21、活性層22、上部クラッド層23及びコンタクト層24を順次形成した後、エッチングによりコンタクト層24、上部クラッド層23を略矩形状に加工し、SiO2 層26を形成し、ポリマ層27を形成する際に、結晶成長が1回ですむため低コストになる。SiO2 層26及びポリマ層27の形成プロセスは結晶成長プロセスに比べて十分安価なプロセスである。また、低誘電率のSiO2 膜26及びポリマ層27を用いているので、寄生容量が小さくなり、高速光スイッチングができる。さらに、上部クラッド層23及びコンタクト層24の幅が信号光の入出射側でテーパ状に細くなるようにエッチング加工を施すことにより、両側面に接続される光ファイバと高効率で結合できる。 |
| 公开日期 | 2000-04-21 |
| 申请日期 | 1998-10-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87498]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井本 克之,勝山 俊夫. リッジ型半導体光増幅器. JP2000114671A. 2000-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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