面発光型半導体レーザ装置
文献类型:专利
| 作者 | 野田 憲秀 |
| 发表日期 | 2000-11-30 |
| 专利号 | JP2000332353A |
| 著作权人 | 株式会社島津製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 光導波領域の大きさの制御を容易にするとともに、長寿命化を図る。 【解決手段】 基板11の一表面に第1のDBR反射層12と、活性層13と、第2のDBR反射層14とが形成され、その第2のDBR反射層14の表面および基板11の裏面には電極層15、16がそれぞれ設けられている。活性層13およびDBR反射層12、14には、光導波領域21の外部の領域22に周期構造が設けられている。 |
| 公开日期 | 2000-11-30 |
| 申请日期 | 1999-05-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87507] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社島津製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野田 憲秀. 面発光型半導体レーザ装置. JP2000332353A. 2000-11-30. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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