半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 八木 克己 |
| 发表日期 | 1993-04-02 |
| 专利号 | JP1993082886A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 単一縦モードで発振する発振閾値電流が小さい分布帰還型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【構成】 誘導放出光を発生する活性層4をn形クラッド層3と第1、第2のp形クラッド層5、8で挟むダブルヘテロ構造をもつ半導体レーザ素子において、第1、第2のp形クラッド層5、8間に回折格子に対応する周期をもつ簾状の高抵抗層6を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-04-02 |
| 申请日期 | 1991-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87510]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 八木 克己. 半導体レーザ素子. JP1993082886A. 1993-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。