半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 新田 康一; 板谷 和彦; 岡島 正季; 波多腰 玄一; 中村 優; 西川 幸江; 菅原 秀人 |
| 发表日期 | 1993-09-21 |
| 专利号 | JP1993243666A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 サージ耐圧が大きい半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 GaAs基板上101に複数の半導体薄膜102〜110を積層し、これらの薄膜内に活性領域を形成すると共に、光の導波方向に共振器端面を形成した半導体レーザ装置において、GaAs基板101の面方位を(100)から〈01-1〉方向に5°傾けることにより、端面破壊光出力よりも低い光出力で光導波モード(光モード或いは横モード9を変形させ、端面破壊に至る電流値を上昇させたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1993-09-21 |
| 申请日期 | 1992-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87515]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 新田 康一,板谷 和彦,岡島 正季,等. 半導体レーザ装置. JP1993243666A. 1993-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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