半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 門脇 朋子; 木村 達也; 多田 仁史; 藤原 正敏 |
| 发表日期 | 2005-09-16 |
| 专利号 | JP3718952B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 素子内のリーク電流を抑えて、高効率·高出力化を図った半導体レーザを提供する。 【解決手段】 光導波路を構成する領域に駆動電流が集中するように、駆動電流をブロックする電流ブロック層23を備えた。この電流ブロック層23の、窓構造部31上に位置する部分と、半導体積層構造22との間に、高抵抗領域32を設けた。 |
| 公开日期 | 2005-11-24 |
| 申请日期 | 1997-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87519]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 門脇 朋子,木村 達也,多田 仁史,等. 半導体レーザ. JP3718952B2. 2005-09-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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