半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 兼岩 進治; 瀧口 治久; 吉田 智彦; 松井 完益 |
| 发表日期 | 1996-09-17 |
| 专利号 | JP1996242036A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 メサストライプ部分からのリーク電流発生と、エッチング加工や結晶成長に高度な制御性が必要であるという課題があった。 【解決手段】 p型InPバッファ層2、InGaPAs活性層3、及びn型InPクラッド層4からなるメサストライプ構造に、P-InPバッファ層7、n-InP電流ブロック層5、P-InP電流狭搾層6を積層する半導体レーザ素子の製造方法による。 |
| 公开日期 | 1996-09-17 |
| 申请日期 | 1985-02-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87526]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 兼岩 進治,瀧口 治久,吉田 智彦,等. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1996242036A. 1996-09-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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