半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山中 通成 |
| 发表日期 | 2009-01-22 |
| 专利号 | JP2009016389A |
| 著作权人 | PANASONIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】垂直形状のリッジ部を有し、電流狭窄層の側面にボイドが発生せず、かつ電極の非対称性に起因する応力分布の異常が生じない半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体基板と、半導体基板1上に第1クラッド層2、活性層3および第2クラッド層4が積層された化合物半導体層と、化合物半導体層上の一部にストライプ状に形成されたリッジ部12と、化合物半導体層上およびリッジ部12の側面に形成された電流狭窄層7と、リッジ部12上面および電流狭窄層7を覆って形成された電極8、9a、10とを備える。電極8、9a、10は、電流狭窄層7上面およびリッジ部上面に形成された第1の電極層8と、電流狭窄層7の側面および第1の電極層8上面に密着して形成された第2の電極層9aと、第2の電極層9a上面および側面に形成された第3の電極層10とを有し、第2の電極層9aの両側面に形成された膜厚が等しい。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-01-22 |
| 申请日期 | 2007-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87529]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山中 通成. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2009016389A. 2009-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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