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光電変換素子

文献类型:专利

作者鈴木 敦
发表日期2006-12-07
专利号JP2006332253A
著作权人日本特殊陶業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光電変換素子
英文摘要【課題】 素子と外部導波路とを直接的に高効率に光学接続ができ、素子の損傷及び汚損を抑制できる光電変換素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 光電変換素子(1a)は、一面(S)から発光及び/又は受光する光機能を備える素子層(11)と、素子層(11)の一面(S)に接合され、且つ素子層(11)と光学接続された樹脂製のコア部(121)及びコア部を囲む樹脂製のクラッド部(122)を有する樹脂製導波路層(12)と、を備える。また、この素子では、外部電気回路と電気接続されることとなる電極部であるパッド部(14)を備え、パッド部(14)は素子層(11)の一面(S)に対する反対面に配置することができる。更に、素子層の厚さは1000μm以下とすることができる。 【選択図】図1
公开日期2006-12-07
申请日期2005-05-25
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87550]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本特殊陶業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
鈴木 敦. 光電変換素子. JP2006332253A. 2006-12-07.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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