半導体レーザアレイとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 深谷 一夫 |
| 发表日期 | 1994-02-25 |
| 专利号 | JP1994053595A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザアレイとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】同一基板上に発振波長の異なる半導体レーザアレイを形成する。 【構成】n型GaAs基板上に、ノンドープ量子井戸活性層を含むダブルヘテロ構造を成長させ、選択的にp型の不純物が拡散された領域を形成し、その領域に含まれる量子井戸活性層の禁制帯エネルギ幅を増大させる。さらに不純物が拡散された領域と拡散されていない領域にメサストライプを並列に近接させて形成し、電流ブロック層で埋め込み、アレイ状の電流狭窄構造および共振器ストライプを形成する。電極及び電極分離溝を設け、発振波長の異なる半導体レーザアレイが得られる。 |
| 公开日期 | 1994-02-25 |
| 申请日期 | 1991-04-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87552]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 深谷 一夫. 半導体レーザアレイとその製造方法. JP1994053595A. 1994-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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