半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 直江 和彦 |
| 发表日期 | 2005-09-02 |
| 专利号 | JP3716039B2 |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体基板上に同一直線上で光学的に滑らかに接続する異なる2種類の半導体光導波路を形成する。 【解決手段】半導体基板上に活性層形成用半導体層、及びクラッド層形成用半導体層を形成し、クラッド層形成用半導体層の一部をエッチングすると同時にエッチング用マスク層の形状をひさし状にし、反応性イオンエッチング処理により第1半導体光導波路を形成し、コア層形成用半導体、及びクラッド層形成用半導体を選択成長させ、第1半導体光導波路と同一直線上にエッチング用マスクをパターニングし、再び反応性イオンエッチング処理により、第2半導体光導波路を形成する。 |
| 公开日期 | 2005-11-16 |
| 申请日期 | 1996-04-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87560]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 直江 和彦. 半導体装置およびその製造方法. JP3716039B2. 2005-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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