半導体レーザー素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 内田 智士 |
| 发表日期 | 1997-02-07 |
| 专利号 | JP1997036483A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、高出力動作の可能な低ノイズ半導体レーザー素子を得ること、及び、その結果、高周波重畳回路の不要な、記録書き込み兼読み取り用ピックアップを得ることにある。 【解決手段】 本発明の半導体レーザー素子は、半導体基板上1に形成された下部クラッド層2と、下部クラッド層2上に形成された活性層3と、活性層3上に形成された上部第一クラッド層4及び上部第二クラッド層6からなる上部クラッド層と、上部クラッド層の内に電流路となるストライプ溝を有する電流制限層を備えた半導体レーザー素子において、電流制限層が発光端面付近の第一電流制限層5と、発光端面付近以外の第二電流制限層10とから成ることを特徴とするものである。 |
| 公开日期 | 1997-02-07 |
| 申请日期 | 1995-07-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87578]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 智士. 半導体レーザー素子及びその製造方法. JP1997036483A. 1997-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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