半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 東條 剛; 平田 照二 |
| 发表日期 | 2004-01-09 |
| 专利号 | JP3508423B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 駆動電流値の大幅な増大を招くことなく、遠視野像の水平方向の放射角を拡大することができ、また、傾斜基板を用いた場合においても、近視野像のスポット形状の水平方向の非対称性を改善し、特に、高出力動作時における電流-光出力特性の直線性を大幅に改善することができる埋め込みリッジ型の半導体レーザを提供する。 【解決手段】 傾斜基板であるn型GaAs基板1を用い、p型(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 Pクラッド層5の上部、p型GaInP中間層6およびp型GaAsキャップ層7に形成されたストライプ部8の両側にn型GaAs電流狭窄層9を埋め込んだ埋め込みリッジ型AlGaInP系半導体レーザにおいて、ストライプ部8の共振器長方向の少なくとも一方の端部にテーパー領域を設け、かつ、ストライプ部8の傾斜角度が大きい側面側の幅S4を傾斜角度が小さい側面側の幅S3よりも大きくする。 |
| 公开日期 | 2004-03-22 |
| 申请日期 | 1996-10-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87590]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東條 剛,平田 照二. 半導体レーザ. JP3508423B2. 2004-01-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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