半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 古川 千里; 松山 隆之 |
| 发表日期 | 1996-07-02 |
| 专利号 | JP1996172242A |
| 著作权人 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 半導体レーザのように表面に段差のある素子に自転,公転等の複雑高価な機構を含まない簡単な装置で大電流を流し得る電極や配線を形成する。 【構成】 ストライプ状の活性層10、これに電流を注入するオーミックコンタクトになる電極12、これに接続する引き出し電極13、引き出し電極のボンディングパッド部14及びこれと電極13とを接続する配線部を基板上に形成した半導体レーザにおいて、ストライプの両側に溝を掘り側面を絶縁膜で被覆して注入電流を閉じ込める。つぎに指向性の高い電子ビーム蒸着装置を用い、上方又は斜め上方から金属粒子を照射する簡単な方法で電極と配線部分を形成する。その際、素子表面の電気的に接続したい部分は蒸発源を望めるように順メサ斜面で電極間をつなぎ、分離したい部分は逆メサ斜面で蒸発源に対して遮蔽して、自己整合的に分離や接続の構造を作る。 |
| 公开日期 | 1996-07-02 |
| 申请日期 | 1994-12-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87592]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古川 千里,松山 隆之. 半導体装置及びその製造方法. JP1996172242A. 1996-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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