光モジュ—ル用素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 駒野 晴保; 岡野 広明; 樋口 恵一; 橋本 俊和; 黒岩 勉 |
| 发表日期 | 2000-08-04 |
| 专利号 | JP2000216473A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光モジュ—ル用素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高速データ通信に適用可能な光モジュール用素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板1上に導波路、LD2及びPD3が搭載される部分が形成され、各搭載部上にLD2及びPD3がそれぞれバッファ層10を介して搭載された光モジュール用素子において、PD3を、約5μm以上50μm以下の厚い絶縁膜70上に搭載することにより、基板1とPD3間の間隔が大きくなるので、電気容量が低くなり、高速データ通信が可能となる。 |
| 公开日期 | 2000-08-04 |
| 申请日期 | 1999-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87594]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 駒野 晴保,岡野 広明,樋口 恵一,等. 光モジュ—ル用素子及びその製造方法. JP2000216473A. 2000-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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