ウエハとそれを用いた発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 松下 保彦; 上田 康博; 國里 竜也; 狩野 隆司 |
| 发表日期 | 1997-09-05 |
| 专利号 | JP1997232630A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ウエハとそれを用いた発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 結晶性のよい半導体層を形成したウエハ及び発光に寄与する層の結晶性を良好とし、高輝度の発光素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板1と、基板1上に形成された窒化化合物系半導体からなるバッファ層2と、バッファ層2上に形成された第1導電型の窒化化合物系半導体からなるクラッド層3と、第1導電型の窒化化合物系半導体からなるクラッド層3上に形成された活性層4と、活性層4上に形成された第2導電型の窒化化合物系半導体からなるクラッド層5を備えた発光素子であって、バッファ層2はAl1-xGaxN(0≦x1-yGayN(0≦y<1)からなり、且つ組成比xと組成比yが略等しい。 |
| 公开日期 | 1997-09-05 |
| 申请日期 | 1996-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87597]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松下 保彦,上田 康博,國里 竜也,等. ウエハとそれを用いた発光素子. JP1997232630A. 1997-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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