半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 和田 一彦 |
| 发表日期 | 2009-01-22 |
| 专利号 | JP2009016458A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 モノリシック型2波長半導体レーザ装置において、従来から使用されている半導体層の組成変更または設計変更をする必要がなく、リッジ導波路の形成が容易な半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 リッジ導波路の形成において、第1および第2キャップ層を選択的にエッチング可能なエッチャントで、第1および第2キャップ層を同時にエッチングする。次に、第3クラッド層の一部と、中間層と、第6クラッド層の一部とを選択的にエッチング可能なエッチャントで、3クラッド層の一部と、中間層と、第6クラッド層の一部とを同時にエッチングする。第3クラッド層の残部を選択的にエッチング可能なエッチャントで、第3クラッド層の残部をエッチングし、第6クラッド層の残部を選択的にエッチング可能なエッチャントで、第6クラッド層の残部をエッチングする。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2009-01-22 |
| 申请日期 | 2007-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87612]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田 一彦. 半導体レーザ装置の製造方法. JP2009016458A. 2009-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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