III 族窒化物半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 健; 松井 俊之; 大井 明彦; 松山 秀昭; 上條 洋 |
| 发表日期 | 1999-04-30 |
| 专利号 | JP1999121800A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III 族窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】Ge基板とIII 族窒化物半導体膜の界面に空隙がなく、歪みの少ないGe基板上のIII 族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】Ge基板上にエピタキシャル成長されたAlx Gay In1-x-y N (但し、0 ≦x,y ≦1 、 x+y≦1 )膜を含むIII 族窒化物半導体素子において、前記Ge基板1gと前記Alx Gay In1-x-y N 膜(2t〜7)との間にSi層またはInN 層からなる反応防止導電バッファ層2cを介在させる。 |
| 公开日期 | 1999-04-30 |
| 申请日期 | 1997-10-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87630]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 健,松井 俊之,大井 明彦,等. III 族窒化物半導体素子およびその製造方法. JP1999121800A. 1999-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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