半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 日野 智公; 谷口 理; 伊藤 哲 |
| 发表日期 | 1999-07-30 |
| 专利号 | JP1999204883A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 積層欠陥密度を低く素子寿命を長くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 GaAs基板の上にGaAsよりなるIII-V族バッファ層を介してZnSeよりなる第1のII-VI族バッファ層を成長させる。第1のII-VI族バッファ層を成長させる前に、III-V族バッファ層の表面をRHEED観察における(2×4)砒素安定化面とし、亜鉛の粒子線を照射する。照射量は粒子線強度Pと照射時間tとの積で8×10-4Torr·sec以上、成長表面に到達する粒子の数fと照射時間tとの積で3.5×1017cm-2以上とする。このとき、RHEED観察における方向の倍周期構造は4×から1×に変化する。これにより、III-V族バッファ層中に存在する積層欠陥の密度は5×103 cm-2以下となる。 |
| 公开日期 | 1999-07-30 |
| 申请日期 | 1997-12-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87631]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 日野 智公,谷口 理,伊藤 哲. 半導体装置の製造方法. JP1999204883A. 1999-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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