光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 岡本 稔; 馬渡 宏泰; 佐藤 憲史; 板屋 義夫; 尾江 邦重; 曲 克明; 三上 修 |
| 发表日期 | 1999-12-24 |
| 专利号 | JP1999354896A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体基板上に半導体量子井戸層を形成している光半導体装置において、TMモードがTEモードとほゞ等しいかそれよりも大きな利得係数を有するようにする。 【解決手段】 半導体量子井戸層を構成している井戸層としての半導体層が半導体基板を構成している半導体と等しい格子定数を有する半導体を用いて形成され、半導体量子井戸層を構成しているバリア層としての半導体層が半導体基板を構成している半導体に比し小さな格子定数を有する半導体を用いて形成されている。 |
| 公开日期 | 1999-12-24 |
| 申请日期 | 1990-05-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87635]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡本 稔,馬渡 宏泰,佐藤 憲史,等. 光半導体装置. JP1999354896A. 1999-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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