半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 岩本 浩治 |
| 发表日期 | 2000-04-07 |
| 专利号 | JP2000101190A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 エッチング停止層によって活性層からの光が吸収されることによる導波路損失を低減し、動作電流の低減および素子の長寿命化を図ることができる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 光導波路形成用にGaInPからなるエッチング停止層を導入した埋め込みリッジ型のAlGaInP系半導体レーザにおいて、p型GaInPエッチング停止層7にp型不純物としてZnを導入し、p型GaInPエッチング停止層7の不純物濃度を、Znの導入によってGaInPの自然超格子が解消されることによるバンドギャップの増加効果と、Znの導入によってGaInPのバンド端にテイル状態が誘起されることによるバンドギャップ減少効果とを考慮して、p型GaInPエッチング停止層7のバンドギャップが所望の値となるように設定する。具体的には、n型GaAs基板1のオフ角を考慮して、p型GaInPエッチング停止層7のバンドギャップが可能な限り大きい値となるように、p型GaInPエッチング停止層7に導入するZnの濃度を設定する。 |
| 公开日期 | 2000-04-07 |
| 申请日期 | 1998-09-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87638]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩本 浩治. 半導体レーザ. JP2000101190A. 2000-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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