窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 神川 剛; 川口 佳伸 |
| 发表日期 | 2008-10-30 |
| 专利号 | JP2008263247A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】高いCODレベルを維持しながら光出射側の共振器端面における反射率を上げることができる窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】光出射部上にコート膜および反射率調整膜がこの順序で形成された窒化物半導体発光素子であって、光出射部が窒化物半導体からなり、コート膜がアルミニウムの酸窒化物膜またはアルミニウムの窒化物膜からなり、反射率調整膜が酸化物膜からなる窒化物半導体発光素子とその窒化物半導体発光素子の製造方法である。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-10-30 |
| 申请日期 | 2008-08-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87642]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川 剛,川口 佳伸. 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法. JP2008263247A. 2008-10-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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