半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 猪口 和彦; 大林 健 |
| 发表日期 | 2002-07-05 |
| 专利号 | JP3326283B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | (修正有) 【構成】 第1導電型の基板1上に、同じ導電型の第1クラッド層2、活性層3、第2導電型の第2クラッド層4を順次積層し、この上に電流狭窄の為、ストライプ溝20を備えた電流阻止層51,52を積層する。電流狭窄の為の電流阻止層は、少なくとも2層の半導体層51,52から構成され、活性層3に近い側には、液相成長を行なう際にメルトバックによる変形を生じない結晶組成で、相対的に禁制帯幅の大きな第1電流阻止層51を配置し、この上にこれよりも禁制帯幅の小さな第2電流阻止層52を配置する。 【効果】 第2クラッド層4の層厚が小さい範囲で水平方向の光閉じ込めが行われて、レーザが低雑音化される。また、活性層3に至るキャリヤの横方向の広がりも溝部20で制限されるので、発光効率が増大し、低しきい値電流のレーザが得られる。 |
| 公开日期 | 2002-09-17 |
| 申请日期 | 1994-08-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87654]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 猪口 和彦,大林 健. 半導体レーザ装置. JP3326283B2. 2002-07-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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