Defect detecting process of semiconductor crystal
文献类型：专利
| 作者 | UEDA OSAMU |
| 发表日期 | 1984-09-11 |
| 专利号 | JP1984161043A |
| 著作权人 | FUJITSU KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Defect detecting process of semiconductor crystal |
| 英文摘要 | PURPOSE:To detect any defect such as dislocation of InxGa1-xP mixed crystal utilized as semiconductor laser and the like at high precision by a method wherein crystal surface is chemically corroded using specific mixed solution. CONSTITUTION:In order to detect a defect in InxGa1-xP (0 |
| 公开日期 | 1984-09-11 |
| 申请日期 | 1983-03-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87656]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | UEDA OSAMU. Defect detecting process of semiconductor crystal. JP1984161043A. 1984-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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