半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石橋 明彦; 保科 順一; 木戸口 勲; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 1999-03-19 |
| 专利号 | JP2900706B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高出力半導体レーザを信頼性に優れかつ高歩留まりで量産する製造方法を提供する。 【構成】 p型クラッド層、活性層、n型クラッド層がそれぞれp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P、アンドープGa0.5In0.5P、n-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pで構成されるレーザバー11の共振器端面(R領域)の両面に、RFコイル13で励起されたホスフィンのプラズマをレーザバー11の温度を400℃以下で制御しながら照射して共振器端面近傍に水素原子を注入する。それによって、ダメージによって生じるリンの欠陥による結晶性の低下を伴うことなく、共振器端面近傍数ミクロンの薄い範囲に1μm以下の精度で高抵抗領域を形成する。その結果、I-L特性の線形性が良くて駆動電流が低く、かつ、CODレベルの高い高出力半導体レーザの高歩留まりな製造が容易にできる。 |
| 公开日期 | 1999-06-02 |
| 申请日期 | 1992-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87657]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 明彦,保科 順一,木戸口 勲,等. 半導体レーザの製造方法. JP2900706B2. 1999-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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