半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 小野 健一 |
| 发表日期 | 1999-01-29 |
| 专利号 | JP1999026880A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 クラッド層中のキャリア濃度が高い場合においても、活性層へのキャリア拡散を効果的に抑制することができる半導体レーザ装置を得る。 【解決手段】 本半導体レーザ装置は、n型GaAs基板1の一主面上に形成されたn型AlGaInP第1クラッド層3と、この上に形成された量子井戸活性層4と、この上に形成された低濃度のp型AlGaInP第2クラッド層5と、この上に形成されたp型GaInPエッチング阻止層6と、この上に形成された、p型AlGaInPキャリア拡散抑制層7、及びキャリア濃度が第2クラッド層5より高いp型AlGaInP第3クラッド層8を積層したリッジ構造体10と、それ以外の部分に形成されたn型GaAs電流阻止層11と、第3クラッド層8上に形成されたp型GaAsコンタクト層12とを備え、キャリア拡散抑制層7が第3クラッド層8よりも低いキャリア濃度を有することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-01-29 |
| 申请日期 | 1997-07-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87660]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野 健一. 半導体レーザ装置. JP1999026880A. 1999-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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