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半導体発光素子およびその製造方法、発光素子付き光ファイバ、光通信モジュールならびに光通信システム

文献类型:专利

作者知野 豊治; 松井 康
发表日期1999-05-21
专利号JP1999135891A
著作权人松下電器産業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子およびその製造方法、発光素子付き光ファイバ、光通信モジュールならびに光通信システム
英文摘要【課題】 光ファイバをコネクタを介して取り付け·取り外しできるようにし、それによつて光ファイバを同軸ケーブルのように簡便に着脱できるようにする。 【解決手段】 光ファイバ300のコア309の光軸に平行な面301上に半導体レーザ302が形成されている。この半導体レーザ302は、発光のための活性層3023を含む半導体多層構造と、半導体多層構造に駆動電流を流すための電極304、306とを備えている。半導体多層構造は、光ファイバ300のコア309上に成長した多結晶半導体層1021と、この多結晶半導体層1021上にエピタキシャル成長した複数の半導体層3022〜3025とを含んでいる。光ファイバ300の外周面に導電性リング308が設けられ、半導体レーザ302の電極306に接続されているる。光ファイバ300の先端部分には、半導体レーザ302の電極304に接続された電極303が設けられ、電気信号線から電気信号を受け取ることができる。
公开日期1999-05-21
申请日期1997-10-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87661]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器産業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
知野 豊治,松井 康. 半導体発光素子およびその製造方法、発光素子付き光ファイバ、光通信モジュールならびに光通信システム. JP1999135891A. 1999-05-21.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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