化合物半導体の加工方法
文献类型：专利
| 作者 | 上西 祐司; 田中 秀尚; 鈴木 与志雄; 浮田 宏生 |
| 发表日期 | 1993-02-12 |
| 专利号 | JP1993037082A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体の加工方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 超小形·高性能のセンサに必須な機械強度·形状に優れた例えば微小振動子マイクロブリッジ、微小マルチ梁等の立体加工や微小振動子と半導体レーザとのモノシリックな集積化を実現する。 【構成】 GaAs半導体基板11上にAlGaAs層12をエピタキシャル成長させ、フォトリソグラフィー技術により所定パターニングした後、エピタキシャル成長層に対して直交(垂直)方向のエッチングした後、H2O2+NH4 系選択エッチング液を用いてGaAs層(水平)方向のみの選択エッチングを用い、中空に浮いたAlGaAsからなる微小片持ばり13を作製する。 |
| 公开日期 | 1993-02-12 |
| 申请日期 | 1991-07-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87662]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上西 祐司,田中 秀尚,鈴木 与志雄,等. 化合物半導体の加工方法. JP1993037082A. 1993-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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