半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥野 八重; 河野 敏弘 |
| 发表日期 | 1994-09-02 |
| 专利号 | JP1994244115A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】ヘテロエピタキシに関し、成長層の結晶性を向上させるために導入する歪薄膜層を制御性良く且つ簡便に形成する。 【構成】半導体基板1上に格子定数の異なる他の半導体層2a,2b,4,6,8を積層するに際し、歪薄膜層3,5,7は半導体層2b,4,6上に成長原料ガスの一部のみを供給することにより形成する。 【効果】歪薄膜層の膜厚及び組成が、歪薄膜層を結晶成長で形成する場合と比較して正確に制御でき歪薄膜層の効果が安定に再現できる。 |
| 公开日期 | 1994-09-02 |
| 申请日期 | 1993-02-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87663]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥野 八重,河野 敏弘. 半導体装置及びその製造方法. JP1994244115A. 1994-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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