半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 今藤 修; 内藤 浩樹; 粂 雅博; 伊藤 国雄 |
| 发表日期 | 1994-01-28 |
| 专利号 | JP1994021568A |
| 著作权人 | 松下電子工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 光記録,固体レーザ励起用等の光源として必要な、100mW以上の高出力動作時において、低動作電流駆動、単一モード発振し、高信頼性を有する半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 光ガイド層4となる一導電型のGa1-BAlBAs層の上に、端面近傍を除いて活性層5となるGa1-XAlXAs層があり、その上には光ガイド層4と反対の導電型の光閉じ込め層6となるGa1-CAlCAs層及び保護層7となるGa1-DAlDAs層があり、端面近傍の光ガイド層4及び保護層7の上には光ガイド層4と反対の導電型のGa1-Y1AlY1As第一クラッド層8、Ga1-Y2AlY2As第二クラッド層9を順次備え、第二クラッド層9の上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓10aを有するGa1-ZAlZAs電流ブロック層10が形成され、ストライプ状の窓10aには、クラッド層と同じ導電型のGa1-Y3AlY3As層12を備える。 |
| 公开日期 | 1994-01-28 |
| 申请日期 | 1992-07-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87665]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電子工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今藤 修,内藤 浩樹,粂 雅博,等. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1994021568A. 1994-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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