窒化物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 長濱 慎一; 妹尾 雅之; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2002-11-29 |
| 专利号 | JP3374737B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 電力効率のよい窒化物半導体素子を提供する。 【解決手段】 1又は多層のn型窒化物半導体層と1又は多層のp型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記p型窒化物半導体層及び前記n型窒化物半導体層の内の少なくとも一つは超格子層であって、前記超格子層は、100オングストローム以下の膜厚を有する窒化物半導体からなる第1の層と、該第1の層と組成が異なりかつ100オングストローム以下の膜厚を有する窒化物半導体からなる第2の層とが積層されている。 |
| 公开日期 | 2003-02-10 |
| 申请日期 | 1997-12-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87669]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長濱 慎一,妹尾 雅之,中村 修二. 窒化物半導体素子. JP3374737B2. 2002-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。