半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 手塚 勉 |
| 发表日期 | 2003-05-23 |
| 专利号 | JP3432968B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】キャリアの緩和を促進し、変調帯域を拡大し、高効率化を達成できる半導体発光素子を提供することを目的とする。 【解決手段】量子ドット構造を有する活性層と、前記活性層と少なくとも一部で接触するように設けられた量子井戸層とを具備し、前記量子井戸層は間接遷移半導体材料で構成されており、前記量子井戸層における発光再結合を抑制することを特徴としている。また、上記活性層と上記量子井戸層との間にトンネルバリア層を設けてなることを特徴としている。 |
| 公开日期 | 2003-08-04 |
| 申请日期 | 1995-09-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87670]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 手塚 勉. 半導体発光素子. JP3432968B2. 2003-05-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。