半導体レーザ素子、及び、その製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 荒木田 孝博; 堀田 等 |
| 发表日期 | 2001-11-30 |
| 专利号 | JP2001332811A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子、及び、その製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】AlGaInP系赤色半導体レーザ素子の低しきい値、高効率な発振特性を実現し、かつ、高出力動作で端面劣化をなくすこと。 【解決手段】活性領域5を上下側より挟み込む上側下側、内部クラッド層4,6と、上側内部クラッド層6の上面側に形成される電流ブロック層7と、内部クラッド層6と電流ブロック層7とを挟み込む外部クラッド層19とを含み、電流ブロック層7に開口部12が形成される。開口部12の端面であるレーザ出射端面17,18の少なくとも一方の端面領域で電流ブロック層7の内部クラッド層6の側の部分が残されて電流非注入領域が形成されている。開口部12に位置対応する内部クラッド層6のキャリア濃度は、電流ブロック層7に接触する内部クラッド層6のキャリア濃度よりも高い。特に、SAS型半導体レーザ素子で、開口部の深さが調整されていて、電流ブロック層7を用いた端面電流非注入構造が形成されているため端部領域の劣化が防止され、且つ、内部クラッド層への領域選択ドーピングにより横漏れ電流が抑制されている。 |
| 公开日期 | 2001-11-30 |
| 申请日期 | 2000-05-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87674]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荒木田 孝博,堀田 等. 半導体レーザ素子、及び、その製造方法. JP2001332811A. 2001-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。