半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 笠原 正樹; 渡辺 重光; 阪口 伸一; 小野 位 |
| 发表日期 | 1994-01-21 |
| 专利号 | JP1994013698A |
| 著作权人 | MITSUMI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、GaAsから成る第一の層と、該第一の層の上に液相結晶成長により形成されるAl組成比が比較的大きいGaAlAsから成る第二の層との界面におけるメルトバックを防止することにより、上記界面の不整を排除し、Al組成比,ドーピング濃度等を最適値に選定し得ることにより、電子の注入効率を向上せしめ、高性能の半導体レーザー装置等の半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】GaAsから成る第一の層と、該第一の層の上に液相結晶成長により形成されたAl組成比が比較的大きいGaAlAsから成る第二の層とを含んでいる半導体装置において、該第一の層の上に第二の層を形成する前に、該第一の層の上に、Al組成比が第二の層のAl組成比に近いGaAlAsから成るメルトバック防止層13,24及びGaAsから成る酸化防止層14,25が、液相結晶成長法以外の方法により形成されているように、半導体装置を構成する。 |
| 公开日期 | 1994-01-21 |
| 申请日期 | 1991-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87676]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUMI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笠原 正樹,渡辺 重光,阪口 伸一,等. 半導体装置. JP1994013698A. 1994-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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