半導体レーザおよびこれを用いた光センシング装置
文献类型：专利
| 作者 | 岩野 英明; 横山 修; 野村 浩朗 |
| 发表日期 | 1995-11-10 |
| 专利号 | JP1995297498A |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびこれを用いた光センシング装置 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 太陽光の影響を受けにくい850nm以上で発振し、最高出力が50W以上の高出力半導体レーザおよびこれを用いた光センシング装置を提供する。 【構成】 基板101上に積層したAlGaAs系半導体層SL、その上にストライプ状の電流注入領域112を有する電流狭窄層109および一対の端面反射膜120,121から成り、半導体層は第1導電型の第1クラッド層103、第1光導波路層104、量子井戸構造を有する活性層105と、第2導電型の第2光導波路層106、第2クラッド層107、コンタクト層108をこの順に積層形成する。活性層105は、1mm×1mmの単位領域で、凹凸が基準面に対し±0.1μm以下の平坦性を有し、電流狭窄層109の電流注入領域112の幅は100〜250μmで、共振器長は500〜1,000μmである。 |
| 公开日期 | 1995-11-10 |
| 申请日期 | 1995-03-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87677]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩野 英明,横山 修,野村 浩朗. 半導体レーザおよびこれを用いた光センシング装置. JP1995297498A. 1995-11-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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