半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松原 秀樹; 三浦 祥紀; 関 壽; 纐纈 明伯 |
| 发表日期 | 1996-10-11 |
| 专利号 | JP1996264886A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 GaN系エピタキシャル結晶を用いた、低コストで安定なレーザ素子およびその製造方法を提供する。 【構成】 結晶のへき開端面をミラーとして利用したファブリペロー共振器を有する半導体レーザ素子であって、GaAs半導体基板1と、基板1上に形成された厚さが10nm〜80nmのGaNからなる第1のバッファ層2と、第1のバッファ層2上に形成されたGaNからなる第2のバッファ層3と、第1のバッファ層2と第2のバッファ層3との界面に位置する不整合面9と、第2のバッファ層3上に形成された第1のクラッド層4と、第1のクラッド層4上に形成された活性領域5と、活性領域5上に形成された第2のクラッド層6と、第2のクラッド層6上に形成されたコンタクト層7とを含む。 |
| 公开日期 | 1996-10-11 |
| 申请日期 | 1995-03-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87678]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原 秀樹,三浦 祥紀,関 壽,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1996264886A. 1996-10-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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