半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 大矢 昌輝; 藤井 宏明 |
| 发表日期 | 2000-02-25 |
| 专利号 | JP2000058963A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】電極形成やヒートシンク融着による特性不良や劣化が発生せず、良好な素子特性を有する半導体レーザ、特に、光ディスクシステムの光源などに用いられる2回成長型AlGaInP赤色半導体レーザの提供。 【解決手段】半導体基板(図1の101)上に、第1のクラッド層(図1の103)と活性層(図1の104)と第2のクラッド層(図1の105、107)と、が積層されたダブルへテロ構造を有し、第2のクラッド層とその上のコンタクト層(図1の109)とをエッチングすることにより形成されるメサ形状の光導波路ストライプを備え、メサストライプの外側に形成される電流阻止層(図1の110)とコンタクト層とに当接する電極(図1の111)とを、有する半導体レーザにおいて、メサストライプの長手方向に直交する面の断面において、メサストライプ側面と半導体基板面との成す、メサの外側の角度(θ)が90度以下となるように形成され、電極と活性層とが、電極側から与えられる外部応力が活性層に及ばない距離だけ離間している。 |
| 公开日期 | 2000-02-25 |
| 申请日期 | 1998-08-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87682]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大矢 昌輝,藤井 宏明. 半導体レーザ. JP2000058963A. 2000-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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