半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 長島 靖明; 篠根 克典; 菊川 知之 |
| 发表日期 | 2005-09-09 |
| 专利号 | JP3718129B2 |
| 著作权人 | アンリツ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層25を通らない無効電流を減少させる。 【解決手段】 n型半導体基板21と、n型半導体基板上に形成され、n型の第1のクラッド層24と活性層25とp型の第2のクラッド層26とからなる台形形状を有する方向に沿って形成されたメサストライプ部22と、メサストライプ部の外側でかつn型半導体基板上に形成されたp型電流ブロック層29とこのp型電流ブロック層の上側に形成されたn型電流ブロック層30とからなる電流ブロック部23と、メサストライプ部の上面と電流ブロック部の上面を共通に覆うp型の第3のクラッド層31とを備えた半導体レーザにおいて、n型InP基板21は(100)結晶面を上面とされ、台形形状を有するメサストライプ部の側面27の傾斜は、(111)B結晶面が露出する特定角度θを除き、かつこの特定角度近傍の角度(θ±Δθ)に設定されている。 |
| 公开日期 | 2005-11-16 |
| 申请日期 | 2001-02-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87685]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アンリツ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長島 靖明,篠根 克典,菊川 知之. 半導体レーザ及びその製造方法. JP3718129B2. 2005-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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