半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 栗林 均; 国原 健二 |
| 发表日期 | 1993-02-19 |
| 专利号 | JP1993041565A |
| 著作权人 | 富士電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】活性層上の第二クラッド層を所定の厚さだけ残し、電流阻止層を形成する半導体の成長を容易にするためのストップエッチングに適した、エッチングストップ層およびエッチング液を提供する。 【構成】エッチングストップ層に閃亜鉛鉱型構造をもつZnSeを用いることにより、その上に同じく閃亜鉛鉱型構造をもつGaAsなどよりなる電流阻止層の成長を容易にする。そしてエッチング液にはアンモニア水を用いる。また、エッチングストップ層にGaInPを用いる場合にも第二クラッド層を形成するAlGaAsとの間に良好な選択性を示すアンモニア水をエッチング液として用い、GaAsの成長容易な面を残す。さらに、エッチングストップ層にAlGaInPあるいはGaInPを用いるが、成長容易化層を兼ねさせないでアンモニア水によるストップエッチング後に硫酸により除去し、露出した第二クラッド層表面上にGaAsを成長させる。 |
| 公开日期 | 1993-02-19 |
| 申请日期 | 1992-01-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87695]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗林 均,国原 健二. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1993041565A. 1993-02-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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