半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 伊地知 哲朗; 菊田 俊夫 |
| 发表日期 | 1994-07-08 |
| 专利号 | JP1994188510A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 4〜5μmと比較的にリッジ幅が広い場合にも基本横モード発振が得られる、GaAs基板上にInGaAs歪量子井戸構造を有する半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 GaAs基板22上にInGaAs歪量子井戸からなる活性層25を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子において、リッジメサの両側を発振波長を吸収する希土類元素のイオン31を含む絶縁物29で埋め込む。 |
| 公开日期 | 1994-07-08 |
| 申请日期 | 1992-12-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87705]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊地知 哲朗,菊田 俊夫. 半導体レーザ素子. JP1994188510A. 1994-07-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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