Semiconductor device
文献类型：专利
| 作者 | YOKOGAWA, TOSHIYA; OGURA, MOTOTSUGU |
| 发表日期 | 1989-09-12 |
| 专利号 | US4866489 |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor device |
| 英文摘要 | A semiconductor device in which a strained-layer of super-lattice composed of two or more group II-IV semiconductors grown on an epitaxial growth layer formed on a surface of a semiconductor substrate. Since the strained-layer of super-lattice composed of two or more group II-VI semiconductors is present in the heterojunction of the heterostructure, it is possible to form a favorable heterostructure seminconductor layer, inhibiting the adverse effects of lattice mismatch. |
| 公开日期 | 1989-09-12 |
| 申请日期 | 1987-07-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87715]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YOKOGAWA, TOSHIYA,OGURA, MOTOTSUGU. Semiconductor device. US4866489. 1989-09-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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