半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 八木 哲哉; 宮下 宗治 |
| 发表日期 | 2004-03-04 |
| 专利号 | JP2004071808A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】組立時の熱ストレスの影響を受けることなく、設計どおり基本モードで発振させることができる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ装置10は、金属製のステム2と、ステムの一方の面に接合されたリッジ型半導体レーザチップ1とを備え、リッジ型半導体レーザチップは、ステムに接合されている第1電極層11と、第1電極層の上に順に積層された、第1導電型の基板12と、第1導電型の第1クラッド層13と、活性層14と、少なくとも層厚が2段階の部分を有する第2導電型の第2クラッド層15と、第2クラッドの2段階の部分のうち相対的に層厚が薄い部分を覆う絶縁体層17と、第2クラッド層の2段階の部分のうち相対的に層厚が厚い部分で電気的に接続された第2電極18とを備えると共に、横基本モードのレーザ光を発振する。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-03-04 |
| 申请日期 | 2002-08-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87716]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 八木 哲哉,宮下 宗治. 半導体レーザ装置. JP2004071808A. 2004-03-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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